【gizevo科技新聞】三星正加速推展用於行動裝置的高頻寬記憶體（hbm）技術，旨在在嚴格的空間與功耗限制下，實現記憶體頻寬與人工智慧運算能力的躍升式提升，從而為先進的裝置端人工智慧應用鋪平道路，例如大型模型的本地推理以及即時多模式處理。
目前主流智慧手機與平板電腦所採用的傳統dram解決方案，仍依賴銅線鍵合技術，i/o介面數量通常僅限於128至256之間。這種方式在頻寬擴展、訊號完整性優化及熱管理等方面，已接近物理上的瓶頸。
為克服這些限制，三星正針對行動裝置進行深入的重新設計，將伺服器級hbm原理加以改造——結合超高長寬比的銅柱（15:1至20:1）與扇出式晶圓級封裝（fo-wlp），打造出適合緊湊裝置外殼的垂直堆疊式記憶體架構。這項技術已在exynos 2600 soc上完成初步驗證，重點提升持續高負載下的散熱效率與效能穩定性；目前正進一步擴展至記憶體子系統，以解決人工智慧資料流中的「最後一公分」瓶頸。
技術細節顯示，三星創新性地採用階層式晶粒堆疊結構，在有限厚度內整合多層dram晶片，並利用精密銅柱填補層間空隙，大幅提高單位體積的互連密度。相較於早期3:1至5:1的銅柱比例，新一代不僅使頻寬密度提升數倍，還透過fo-wlp向外擴展布線區域，增強機械結構的穩固性，並顯著增加可用的i/o數量，整體頻寬預計可提升約30%。
值得注意的是，超細銅柱（直徑低於10微米）容易發生變形或斷裂，對製程良率與長期可靠性構成挑戰。扇出式封裝所提供的冗餘路徑與應力緩解機制，成為關鍵的支援方案，確保高密度堆疊在跌落、溫度波動等實際使用情境下仍能保持穩定與可靠。
雖然目前尚未公布具體的商業化推播時程，但業界分析普遍認為，該技術可能率先應用於下一代旗艦exynos 2800或exynos 2900平台。同時，據傳蘋果也在同步推進其自身的行動端hbm整合計畫，這意味著自2026年起，裝置端人工智慧效能的競爭將正式邁入「高頻寬記憶體時代」。
