美光已證實,其下一代HBM4E高頻寬記憶體的基礎晶片將由台積電製造;同時,其DRAM產品線也已全面升級至1γ(1-伽馬)製程技術

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今年三月,美光公布了2026會計年度第二季財務業績(截至2026年2月26日),營收達238.6億美元,較先前預估的187億美元高出逾27%。更引人注目的是,公司對第三季的前瞻營收指引高達335億美元,遠超市場普遍預期的242.9億美元,並可能創下單季營收新高。在亮眼業績之外,美光也加速釋出技術路線圖相關訊息,特別是在下一代高頻寬記憶體hbm4e的產能爬坡、製程演進及客製化策略等方面,展現出前所未有的清晰度與執行力。

據trendforce報導,援引摩根大通全球科技、媒體與電信會議上披露的資訊,美光全球營運執行副總裁manish bhatia證實,首款符合jedec標準的hbm4e將於2027年正式量產。該產品基於第六代10奈米級1γ(1-gamma)dram製程,相較於採用第五代1-beta製程的現行hbm4,在電晶體密度、能源效率及訊號完整性等面向均有顯著提升。為滿足客戶的差異化需求,美光同時研發了涵蓋標準版與客製化版本的統一基礎晶片,成為業界首批提供「可配置式hbm平台」的供應商之一。

在製造策略方面,美光採取漸進式轉型路徑:hbm4仍將沿用自家晶圓廠成熟的cmos製程來生產基礎晶片,以有效控制初期成本與交貨風險;而到了hbm4e階段,公司則將全面轉向台積電的先進封裝與製程平台——此決策與sk海力士一致,但有別於三星堅持自建晶圓代工服務的做法。bhatia進一步指出,客製化hbm的價值不僅在於強化的硬體規格,更在於設計協作、核心dram研發能力以及異質整合技術的立體化整合。隨著客戶對效能要求不斷提升、系統層級優化需求日益迫切,個人化的工程服務已從原本的選配項目轉變為核心利潤來源,持續推升產品整體的高端定價能力。

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