美光科技近日宣布，其第六代高帶寬記憶體（hbm4）的產能爬坡進展順利，良率提升幅度顯著超過上一代hbm3。同時，為滿足更高性能需求而研發的強化版hbm4e，已進入量產準備階段，預計將於2025年正式投入生產。
在摩根大通投資者會議上，美光全球營運副總裁馬尼什·巴蒂亞透露，目前hbm4的產能爬坡速度是去年推出的hbm3 12層產品的兩倍，且良率優化進程也大幅加快。該產品將率先應用於nvidia下一代人工智慧超級運算平台「維拉·魯賓」，支援大規模模型訓練與推理任務。
這項加速主要依賴三大支柱：首先，持續深化並應用在hbm3及hbm3e 12層產品量產過程中積累的技術專長與製程經驗；其次，hbm4的核心dram晶片採用經規模驗證的10奈米級第五代1β製程，具備高度穩定性與成熟的良率表現；第三，創新整合自研基底晶片，實現dram堆疊架構與互連效能的協同最佳化，全面提升模組整體效率。
然而，為滿足更為嚴苛的人工智慧運算需求而開發的hbm4e，則標誌著美光技術路線的重大升級。其dram核心將首次採用10奈米級第六代1γ製程——這是一種尖端製造節點，也是美光首次導入asml極紫外光刻設備，使其與三星、sk海力士最新一代1c製程並駕齊驅。值得注意的是，hbm4e的基底晶片將不再由美光自行製造，而是委外交由台積電代工，藉助後者在先進封裝與異質整合領域的領先能力。
巴蒂亞強調，hbm4e的研發進展順利，首批符合jedec標準的通用型樣品預計明年投入量產，同時客戶專用版本亦將同步推進。儘管客製化方案成本較高，但憑藉其卓越的頻寬密度、更低的功耗以及對可擴展功能的支援，市場期待依然強勁。
在競爭格局方面，三星計劃於今年第二季交付hbm4e的工程樣品，其基底晶片將由內部代工廠以4奈米製程製造。同時，sk海力士則目標於下半年提供樣品，並於2025年啟動量產，繼續委外交由台積電以3奈米製程代工基底晶片。
展望全年，美光預計到年中時，採用1γ製程的dram晶片搭配第九代nand快閃記憶體，將佔總出貨量逾50%。此外，1γ dram更有望成為公司按晶圓數計算的最大單一dram製程節點。
