5月8日，三星電子宣布已重新設計用於s26系列的exynos 2600處理器的tim。exynos 2600現採用hpb（熱路塊）成型封裝技術，使晶片的物理形態發生了變化。hpb是指在晶片頂部安裝高導熱性銅製均熱片，再以環氧樹脂成型化合物進行封裝的結構。emc則是半導體封裝中用來保護與密封晶片的成型材料。
結合hpb的3d結構化tim，與上一代相比，散熱效能顯著提升。三星電子相關負責人解釋：「3d tim能夠廣泛分散熱量，並確保正面與背面均勻散熱，從而保護內部元件，同時維持ap性能穩定。」「taylor tim」之名源自其量身打造的處理方式——精確配合印刷電路板組裝（pba）上各元件的高度與高低差異。
除了ap之外，三星電子也在研發針對pba的散熱方案。隨著ap散熱功率提升，僅解決晶片與均熱片之間的熱介面已不夠，還需考量晶片與pba間填隙材料所帶來的散熱挑戰。三星電子相關負責人表示：「我們花了兩年時間研發導熱填隙材料」，即將導熱性融入環氧樹脂基底的填隙材料中，該材料預計近期投入量產。
目前，配備exynos 2600的標準版s26與s26 ultra機型的表面最高溫度已相當接近。此前，ultra版因擁有更大的均熱片面積，在散熱管理上佔優勢。3d taylor tim最早於s25系列推出，此前主要採用以矽為主的平面2d tim；然而，矽材易回復原狀，即便塑造成3d結構，仍會留下微小的階梯。
為解決此問題，三星電子將相變材料（pcm）與橡膠聚合物（sebs）結合。pcm受熱時會由固態轉變為凝膠狀甚至液態，而sebs則能防止pcm完全液化外流。經熱壓工藝形成3d結構後，taylor tim可覆蓋封裝結構中高熱源邊緣區域。與2d tim相比，taylor tim的有效接觸面積增加約118%；原本無接觸的電源管理元件（dc/ics）有效接觸面積提升至78.8%，行動高速快閃記憶體（ufs）則提升至41.4%。
根據三星電子內部測試結果，與2d tim相比，ap晶片溫度下降1.18℃，產品背表面溫度亦降低0.73℃。三星電子相關負責人補充：「雖然約1℃的降幅看似不大，但智慧手機運作空間極為狹小，散熱管理必須將效能發揮到極限。」
