4月30日，三星電子在其2026會計年度第一季業績電話會議上表示，近期標準dram的獲利能力已超過高頻寬記憶體（hbm）；然而，公司將維持兩者之間的均衡產能結構。
三星電子承認：「近期標準dram價格上漲，其獲利能力確實高於hbm。」公司解釋稱，hbm通常以多年期合約供應，而標準dram則採每季議價方式。因此，標準dram價格更能快速反映上漲趨勢，導致短期內獲利出現逆轉。
儘管如此，三星電子明確表示，不會僅因標準dram短期獲利較高就大幅調整產能結構。公司強調，過度傾向標準dram可能加劇hbm供應短缺，甚至使hbm的獲利能力再度追上。因此，三星計畫維持標準dram與hbm之間的均衡產能比例，兼顧短期業績與長期戰略目標。
三星電子半導體事業部門負責人進一步透露，hbm4的差異化表現已吸引大量客戶需求，目前分配給hbm4的所有產能均已訂滿。預計今年下半年hbm4供應將大幅擴充，第三季hbm4銷售額將佔三星hbm總銷售額的一半以上，全年亦將佔逾一半。
在技術進步方面，三星電子已將1c奈米級dram製程技術應用於hbm4生產，以提升產品效能。同時，下一代高頻寬記憶體hbm4e（即第七代hbm）的首批樣品預計於今年第二季交付主要客戶，相關準備工作也正在加速推進。
