5月29日，三星電子正式向全球頂級客戶交付了其下一代高頻寬記憶體hbm4e的工程樣品，該產品採用12層設計。作為hbm4的增強版，hbm4e針對極度依賴高頻寬的場景進行了深度優化，例如大型模型訓練、推理以及人工智慧超級運算中心，這標誌著高頻寬記憶體技術邁入了一個新階段，實現了能源效率與密度的雙重平衡。
在性能方面，hbm4e將每針資料傳輸速率提升至最高16gbps，較標準hbm4提升了超過20%。其單堆疊頻寬達到3.6tb/s，能順暢滿足新一代人工智慧加速晶片對海量參數即時存取的嚴苛需求。在容量方面，首批產品為48gb、12層配置，並根據需求陸續推出32gb（8層）及64gb（16層）等多種規格，靈活適應從邊緣人工智慧伺服器到大規模雲端資料中心等全棧部署需求。
在製程與封裝層面，hbm4e延續了三星經量產驗證的先進組合：採用第六代10奈米級（1c）dram技術構建記憶體陣列，並整合自研的4奈米邏輯晶片。透過重新架構電源管理架構、優化tsv互連密度，整體功耗降低16%，熱阻下降超過14%，顯著緩解了持續高負載人工智慧工作負荷下的散熱挑戰，進一步提升系統長期穩定性與能源效率上限。
值得注意的是，三星於今年2月已開始量產hbm4，目前產能正快速爬升。隨著hbm4e樣品進入客戶驗證階段，量產進度將緊密配合下游人工智慧晶片廠商及oem客戶的採用節奏。據三星記憶體事業部開發副總裁黃相俊表示，hbm4的成功量產不僅鞏固了三星將該技術推向市場的能力，也為hbm4e及未來世代建立了快速迭代的路徑。此前，在去年12月，hbm4已在系統級封裝測試中取得業界最高性能評級，實測資料傳輸速率達11.7gbps，充分證實了其基礎架構的優越性與可靠性。
